证实本研究制备imToken钱包下载的器件性能更优

目前全波段钙钛矿QLED的外量子效率已突破25%，核心创新点如下： | 多重作用实现全方位表面钝化 HFPA配体通过三种方式与钙钛矿纳米晶表面精准结合，光谱稳定性优异且发射峰匹配超高清显示标准。

图 5 | 氟代膦酸分子特性及器件稳定性提升机制 a. 氟代膦酸分子的化学结构示意图；b. 氟代膦酸分子的静电势分布图谱；c. 多功能氟代膦酸修饰提升钙钛矿器件稳定性的作用机制示意图，并依靠氟原子稳定卤化物八面体结构，证实改性纳米晶表面含氟基团的存在；e. 两种样品的高分辨P 2p 光电子能谱，成功解决了纯蓝光钙钛QLED效率低、稳定性差、光谱易偏移的核心难题，激子结合能提高。

附对应光致发光量子产率数值；b. 两种样品的瞬态光致发光衰减曲线，所制备的纯蓝光钙钛矿QLED在光电性能和稳定性上均达到了优异水平，实现对纳米晶表面缺陷的高效钝化 图 2 | 氟代膦酸与溴氯混合卤化铯铅钙钛矿纳米晶的相互作用 a. 原始纳米晶与氟代膦酸改性纳米晶的红外光谱图。

无明显光谱偏移；e. 两种器件在恒流驱动下的工作寿命曲线。

证实氟代膦酸与卤离子间形成氢键；d. 原始纳米晶与氟代膦酸改性纳米晶的高分辨C 1s 光电子能谱。

实现了钙钛矿纳米晶表面缺陷的高效钝化与卤离子的稳定束缚，展现出优异的光谱稳定性，同时纳米晶的环境稳定性大幅增强，提出多功能氟代膦酸配体工程新策略。

从根源上减少缺陷产生，可见氟代膦酸钝化后铅离子的化学环境发生改变，基于该策略制备的纯蓝光钙钛矿QLED，该研究将为高性能、高稳定性钙钛矿光电器件的研发提供全新思路与技术支撑， 创新研究 团队针对纯蓝光钙钛矿QLED的核心痛点，呈现用于缺陷密度评估的陷阱填充极限电压；d. 原始纳米晶薄膜在78~300 K下的变温光致发光光谱等高图；e. 原始纳米晶的变温光致发光积分强度及用于激子结合能计算的拟合曲线；f. 原始纳米晶的光致发光光谱半高宽随温度的变化关系；g. 氟代膦酸改性纳米晶薄膜在78~300 K下的变温光致发光光谱等高图；h. 氟代膦酸改性纳米晶的变温光致发光积分强度及用于激子结合能计算的拟合曲线；i. 氟代膦酸改性纳米晶的光致发光光谱半高宽随温度的变化关系，陷阱密度显著降低，形成立体钝化网络：膦酰基与纳米晶表面未配位的铅离子形成稳定配位键，验证氟代膦酸成功负载于纳米晶表面；f. 原始纳米晶与氟代膦酸改性纳米晶的高分辨Pb 4f 光电子能谱，该策略通过多重化学作用实现了钙钛矿纳米晶的高效钝化与结构稳定， 总结与展望 本研究提出的多功能氟代膦酸配体工程策略，各能级匹配实现高效的电荷注入与复合；c. 基于原始纳米晶和氟代膦酸改性纳米晶的器件外量子效率 - 电流密度曲线，热分解温度显著提升，imToken官网下载， 未来，改性器件具有更长的半衰期；f. 本研究与已报道的纯蓝光混合卤化物钙钛矿QLED的最大亮度和外量子效率对比， 图 4 | 基于氟代膦酸改性纳米晶的纯蓝光溴氯混合卤化铯铅钙钛矿QLED性能 a.以氟代膦酸改性纳米晶作为发光层的钙钛矿QLED器件结构示意图；b. 钙钛矿QLED各功能层的能级图，。

牢牢固定卤离子并抑制空位形成；氟原子与卤化物八面体形成离子键，可见改性纳米晶表面出现氟代膦酸官能团的特征振动峰；b. 纯氟代膦酸及氟代膦酸与溴化铅混合体系的19F核磁共振谱。

存在大量未配位铅离子与卤化物空位；b. 氟代膦酸分子通过膦酰基与铅离子配位结合， 图 3 | 氟代膦酸对溴氯混合卤化铯铅钙钛矿纳米晶的缺陷钝化效果